据报道，近日，CEA Tech下属研究所Leti已开发出一种与CMOS无尘室兼容的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）工艺技术，既能保持半导体材料的高性能，成本又低于现有的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）技术。 该研究所在IEDM 2023会议的一场演讲中表示，目前用于电信或雷达的GaN ...
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