今年IEDM上，围绕摩尔定律延续的问题，又有几个比较重要的技术发布，包括CFET——也就是3D堆叠晶体管要用背面供电，背面供电技术本身则有了新的实现方案，GaN功率晶体管则和Si CMOS驱动放到了一起... 现在还在从事尖端与先进制造工艺的半导体fab和foundry厂 ...
两层金属氧化物薄膜材料起到抗反射涂层(ARC)作用；其中，HfO 2 薄膜在紫外到近红外有着良好的透过率（>80）,与silicon晶格匹配好，具有较高的激光损伤阈值； HfO 2 薄膜中固定电荷（负电荷）会在silicon表面感应出正电荷，形成表面P区，起到PINimplant降低入射光线 ...
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